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三星演示 3nm MBCFET 芯片:接纳纳米片布局制造晶体管

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3月13日音讯 三星电子和台积电现在都方案展开 3nm 制程工艺研发。据外媒 TomsHardware 音讯,三星在 IEEE 国际固态电路集会(ISSCC)上,三星工程师分享了行将推出的 3nm GAE MBCFET 芯片的制造细节。

GAAFET 晶体管(闸极全环场效晶体管)从结构上有两种形状,是现在 FinFET 的晋级版。三星表现传统的 GAAFET 工艺接纳三层纳米线来结构晶体管,栅极比力薄;而三星 MBCFET 工艺利用纳米片结构晶体管,三星曾经为 MBCFET 注册了牌号。三星表现,这两种方法都可以完成 3nm,但取决于详细设计。

第一种 GAAFET 晶体管的想法早在 1988 年便被提出,这项技能容许设计者经过调解晶体管通道的宽度来准确控制功能和功耗。较宽的质料便于在大功率下取得更高的功能;而较薄的质料可以低落功耗,但功能受影响。

IT之家理解到,三星于 2019 年便展示了 3GAE 工艺的原理。三星表现,与 7LPP 技能相比,3GAE 可以完成 30% 的功能改良,功率低落 50%,别的晶体管密度可以提拔 80%。


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